สืบค้นงานวิจัย
การสังเคราะห์ซิงค์ออกไซด์โดยใช้เทคนิคคลื่นไมโครเวฟ
ศุภรัตน์ นาคสิทธิพันธุ์ - มหาวิทยาลัยแม่โจ้
ชื่อเรื่อง: การสังเคราะห์ซิงค์ออกไซด์โดยใช้เทคนิคคลื่นไมโครเวฟ
ชื่อเรื่อง (EN): Synthesis of Zinc Oxide by Microwave technique
ผู้แต่ง / หัวหน้าโครงการ: ศุภรัตน์ นาคสิทธิพันธุ์
ผู้แต่ง / หัวหน้าโครงการ (EN): Suparut Narksitipan
หน่วยงานสังกัดผู้แต่ง:
บทคัดย่อ: งานวิจัยนี้ศึกษาการเตรียมฟิล์มของซิงก์ออกไซด์ทั้งวิธีทางกายภาพและเคมีโดยอาศัยคลื่นไมโครเวฟ วิเคราะห์เฟสและโครงสร้างผลึกด้วยเทคนิคการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ (XRD) พบว่าซิงก์ออกไซด์ที่เตรียมได้นั้นมีโครงสร้างผลึกแบบเฮกซะโกนอล จากการตรวจวัดการกระจายตัวของรังสีเอกซ์ (EDS) พบธาตุที่ประกอบอยู่บนฟิล์มบาง ได้แก่ ซิงก์และออกซิเจน นอกจากนั้นศึกษาสัณฐานวิทยาบนพื้นผิวของฟิล์มซิงก์ออกไซด์ด้วยกล้งจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด (SEM) ซึ่งฟิล์มที่ถูกเตรียมด้วยวิธีทางกายภาพ ลักษณะพื้นผิวของฟิล์มที่เกิดขึ้นมีลักษณะแบบเข็มขนาดเล็ก ที่เติบโตออกจากแผ่นรองรับ ส่วนฟิล์มที่เตรียมด้วยวิธีทางเคมี พบว่าฟิล์มมีลักษณะเรียบ ศึกษาสมบัติทางแสงด้วยเครื่องยูวีวิสิซิเบิลสเปคโทรโฟโตมิเตอร์ (UV-visible spectrophotometer) พบว่าฟิล์มมีการตอบสนองต่อแสงที่ความยาวคลื่นแสงระหว่าง 370-375 นาโนเมตร ซึ่งเป็นแสงในช่วงของอัตราไวโอเลต ค่าการส่องผ่านสูงสุดของฟิล์มเท่ากับร้อยละ 75 และค่าแถบพลังงานต้องห้าม มีค่าประมาณ 3.31-3.35 อิเล็กตรอนไวลต์
บทคัดย่อ (EN): In this research, zinc oxide (ZnO) films were prepared by physical and chemical method via microwave technique. X-ray diffraction (XRD), energy dispersive x-ray spectroscopy (EDS) were used to study the phase, crystalline structure, chemical compositions and optical properties of films, respectively. Transmittance in UV-visible was also measured. Surface films morphologies were investigated by scanning electron microscopy (SEM). As a result, ZnO phase with hexagonal structure was detected. The EDS spectra show that element of Zn (Zinc) and O (Oxygen). The average transmittance value for all films was 75% at wavelength of 370-375 nm, a comparison among the films obtained at different times showed a transmittance value slightly higher for films obtained at highest times. Calculated of energy band gap of the ZnO films were extimated to be in the range from 3.31 to 3.35 eV. ZnO films prepared by physical method showed the needle shape on the surface and they grew from substratc. Additional, ZnO films prepared by chemical method showed smooth surface.
บทคัดย่อ: ไม่พบข้อมูลจากหน่วยงานต้นทาง
ภาษา (EN): th
เอกสารแนบ: http://webpac.library.mju.ac.th:8080/mm/fulltext/research/2557/Suparut_Narksitipan_2556/fulltext.pdf
เผยแพร่โดย: มหาวิทยาลัยแม่โจ้
คำสำคัญ: สมบัติทางแสง
คำสำคัญ (EN): optical properties
เจ้าของลิขสิทธิ์: มหาวิทยาลัยแม่โจ้
หากไม่พบเอกสารฉบับเต็ม (Full Text) โปรดติดต่อหน่วยงานเจ้าของข้อมูล

การอ้างอิง


TARR Wordcloud:
การสังเคราะห์ซิงค์ออกไซด์โดยใช้เทคนิคคลื่นไมโครเวฟ
มหาวิทยาลัยแม่โจ้
2555
การพัฒนาระบบการประเมินความชื้นลำไยแห้งด้วยคลื่นไมโครเวฟ แบบจำลองการอบแห้งใบกระเพราด้วยคลื่นไมโครเวฟ การเตรียมและศึกษาสมบัติทางแสงของฟิล์มบางไทเทเนียมออกไซด์และวาเนเดียมออกไซด์ การศึกษาพฤติกรรมการเกิดโพลาไรเซซันของเซรามิกนาโนคอมโพสิตเลคไทเทเนตซิงค์ออกไซด์ ด้วยเทคนิค Linear Variable Differential Transformer เพื่อทำเป็นตัวตรวจวัด การพัฒนาระบบอบแห้งลำไยด้วยคลื่นไมโครเวฟร่วมกับระบบลมร้อน วิธีการอย่างง่ายในการสังเคราะห์และควบคุมสมบัติในการเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาทางแสงของสารประกอบซิงค์ออกไซด์ที่ทำการเจือด้วยซามมาเรียมไอออนสำหรับการบำบัดน้ำเสียภายใต้แสงอาทิตย์ การพัฒนาชุดอุปกรณ์สำหรับการศึกษาระบบการอบแห้งด้วยคลื่นไมโครเวฟภายใต้สภาวะสุญญากาศ : กรณีศึกษาจลนพลศาสตร์การอบแห้งสาหร่ายเตาด้วยวิธีการอบแห้งด้วยคลื่นไมโครเวฟภายใต้สภาวะสุญญากาศ การพัฒนาวัสดุผสมซีเมนต์/ซิงค์ออกไซด์/เส้นใยแก้วเพื่อทำความสะอาดตัวเองและเป็นฉนวนกันความร้อนสำหรับสิ่งก่อสร้างที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม การลดความชื้นน้ำผึ้งลำไยด้วยไมโครเวฟภายใต้สภาวะสุญญากาศ การพัฒนาเทคนิคพลาสมาและอิทธิพลของพลาสมาต่อโครงสร้างและสมบัติของฟิล์มซิงค์ออกไซด์
คัดลอก URL
กระทู้ของฉัน
ผลการสืบค้นทั้งหมด โพสต์     เรียงลำดับจาก