สืบค้นงานวิจัย
การเตรียมและศึกษาสมบัติทางแสงของฟิล์มบางไทเทเนียมออกไซด์และวาเนเดียมออกไซด์
ศุภรัตน์ นาคสิทธิพันธุ์ - มหาวิทยาลัยแม่โจ้
ชื่อเรื่อง: การเตรียมและศึกษาสมบัติทางแสงของฟิล์มบางไทเทเนียมออกไซด์และวาเนเดียมออกไซด์
ผู้แต่ง / หัวหน้าโครงการ: ศุภรัตน์ นาคสิทธิพันธุ์
หน่วยงานสังกัดผู้แต่ง:
  1. มหาวิทยาลัยเชียงใหม่
บทคัดย่อ: ฟิล์มบางของ Au, AU - V และ AU - VOx ถูกเตรียมขึ้นบนแผ่นซิลิกอนด้วยเทคนิคสปัตเตอร์ริงแบบกระแสตรง และหาความต้านทานทางไฟฟ้าด้วยเครื่อง 4 Point Probe พบว่า Au มีค่าเท่ากับ 7 2 m.Ωcm. พบว่าความต้านทานไฟฟ้ามีค่าเพิ่มขึ้นเมื่อฟิล์มมีความเข้มข้นของ V และ VOx เพิ่มมากขึ้น วัดค่าความแข็งของฟิล์มโดยใช้เทคนิค Nanoindentation พบว่าฟิล์มบางของ Au มีค่าความแข็งเท่ากับ 2.52 GPa และมีค่าความแข็งเท่ากับ 1.80 GPa และ 1.75 GPa เมื่อให้อุณหภูมิอบอ่อนที่อุณหภูมิ 200 และ 400 องคาเซลเซียส ตามสำดับ โดยความแข็งมีค่าเพิ่มขึ้นเมื่อมีความเข้มข้นของ V และ VOx ในฟิล์มเพิ่มขึ้น เช่นเดียวกัน หลังจากอบอ่อนที่อุณหภูมิ 200 และ 400 องศาเซลเซียส ค่าความต้านทานทางไฟฟ้าและความแข็งของ Au-V และ Au-VOx มีแนวโน้มลดลงเมื่ออุณหภูมิอบอ่อนเพิ่มสูงขึ้น วิเคราะห์ด้วย SEM และ TEM พบว่าฟิล์มประกอบด้วยอนุภาคขนาดนาโน แต่การวิเคราะห์ด้วย SAED บนฟิล์ม Au-4.00at%VO, พบเฟสของทองบริสุทธิ์เท่านั้น ฟิล์มไททาเนียมไดออกไชด์ (TO 2) ถูกเตรียมด้วยการเผาแคลไชน์ที่อุณหภูมิในตั้งแต่ 550 ถึง 700 องศาเซลเซียส เป็นระยะเวลา 4 ชั่วโมง และโครงสร้างผลึกของฟิล์มตรวจสอบด้วย XRD, SAED และเทคนิดการกระเจิงแบบรามาน พบเฟสของรูไทล์ TO2 ที่ถูกเตรียมขึ้นที่อุณหภูมิ 700 องศาเซลเซียส และมีโครงสร้างแบบเตตระโกนอล และจากสเปคตรัมของรามานพบพีคที่ 235, 440 และ 603 cm-1 ซึ่งสอดคล้องกับเฟสรูไทส์ TiO2 นอกจากนี้ความเข้มของรูไทล์เพิ่มขึ้นเมื่อเพิ่มอุณหภูมิในการเผา ซึ่งผลของรามานยืนยันกับการวิเคราะห์เฟสรูไทล์ด้วยเทคนิค SAED ภาพถ่ายของ SEM และ AFM พบว่าชั้นฟิล์มมีอนุภาคที่หนาแน่น มีรูปร่างเป็นเหลี่ยมมุม และมีความหยาบมากสุดที่ฟิล์มถูกเตรียมขึ้นที่อุณหภูมิ 700 องคาเรลเรียส
บทคัดย่อ (EN): Au, Au-V and Au-VOx thin films were deposited on Si wafers by a co-sputtering technique. A four-point probe shows that the electrical resistivity of pure Au thin film on Si wafer without annealing is 7.2 mΩ.cm. The resistivities of thin films tended to Increase with the Increase in the V and VOx concentration, and were attributable to the inhibited drift mobility of charge carrier within the films. By using a nanoindentation technique, hardness in all cases also tended to Increase with the increase in the V and VOx concentrations. The hardness of pure Au, without annealing, was 2.52 GPa. It decreased 1.80 and 1.75 GPa after annealing at 200 and 400°C, respectively. SEM and TEM analyses revealed the presence of nanosized particles on the surfaces of the thin films. XRD and analysis of Au-4.00%VOx film deposited on Si wafer detected the presence of Au, VO and Si. However, SAED analysis only detected the presence of Au on the film. Rutile TIO2 films were prepared at calcinations temperature in the range 550-700°C for 4 h prolonged times. Their structure and crystalline are crystalline are investigated by XRD, SAED and raman spectroscopy techniques. After films preparation 700°C, rutile TiO2 with tetragonal structure was detected. Raman spectra displayed centered bands at 235, 440 and 603 cm-1, corresponding to the rutile structure of TiO2. The Intensity of rutile Tio2 increased with increasing in the calcinations temperatures. The Raman spectra agree very well with SAED patterns. In addition, the characterization of rutile films with scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM) showed the surface roughness and the dense particle with angular shape.
บทคัดย่อ: ไม่พบข้อมูลจากหน่วยงานต้นทาง
ภาษา (EN): th
เอกสารแนบ: https://dric.nrct.go.th/Search/SearchDetail/300779
เผยแพร่โดย: มหาวิทยาลัยแม่โจ้
คำสำคัญ: ฟิล์มบาง
คำสำคัญ (EN): Thin Films
เจ้าของลิขสิทธิ์: มหาวิทยาลัยแม่โจ้
หากไม่พบเอกสารฉบับเต็ม (Full Text) โปรดติดต่อหน่วยงานเจ้าของข้อมูล

การอ้างอิง

ศุภรัตน์ นาคสิทธิพันธุ์. "การเตรียมและศึกษาสมบัติทางแสงของฟิล์มบางไทเทเนียมออกไซด์และวาเนเดียมออกไซด์". มหาวิทยาลัยแม่โจ้. 2554

ศุภรัตน์ นาคสิทธิพันธุ์. "การเตรียมและศึกษาสมบัติทางแสงของฟิล์มบางไทเทเนียมออกไซด์และวาเนเดียมออกไซด์". มหาวิทยาลัยแม่โจ้. 2554. Print.



TARR Wordcloud:
การเตรียมและศึกษาสมบัติทางแสงของฟิล์มบางไทเทเนียมออกไซด์และวาเนเดียมออกไซด์
ศุภรัตน์ นาคสิทธิพันธุ์
มหาวิทยาลัยแม่โจ้
2554
การสังเคราะห์ซิงค์ออกไซด์โดยใช้เทคนิคคลื่นไมโครเวฟ การพัฒนาเทคนิคพลาสมาและอิทธิพลของพลาสมาต่อโครงสร้างและสมบัติของฟิล์มซิงค์ออกไซด์ การหาลักษณะเฉพาะของผงลิเทียมโคบอลต์ออกไซด์ที่เตรียมโดยวิธีทางเคมี วิธีการอย่างง่ายในการสังเคราะห์และควบคุมสมบัติในการเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาทางแสงของสารประกอบซิงค์ออกไซด์ที่ทำการเจือด้วยซามมาเรียมไอออนสำหรับการบำบัดน้ำเสียภายใต้แสงอาทิตย์ การสังเคราะห์ฟิล์มบางซีเรียมไดออกไซด์ที่มีการเจือด้วยไอออนของโลหะทรานซิชั่น เพื่อใช้เป็นตัวเร่งปฏิกิริยาในกระบวนการเร่งปฏิกิริยาด้วยแสง โครงสร้างและสมบัติทางแสงของกระจกแบ่งลำแสงที่เตรียมด้วยวิธีสปัตเตอริง การเตรียมและสมบัติการเร่งปฏิกิริยาด้วยแสงของวัสดุผสม Cu-TiO2/MWCNT การศึกษาสมบัติใบทองกวาวเพื่อใช้ในการผลิตบรรจุภัณฑ์ย่อยสลายได้ทางชีวภาพ การสังเคราะห์หาลักษณะของไทเทเนียมไดออกไซด์ขนาดนาโนสำหรับการย่อยสลายสารประกอบอินทรีย์ในแหล่งน้ำธรรมชาติ การสังเคราะห์และการปลดปล่อยอิเล็กตรอนของเข็มขัดนาโนทังสเตนออกไซด์
คัดลอก URL
กระทู้ของฉัน
ผลการสืบค้นทั้งหมด โพสต์     เรียงลำดับจาก
พัฒนาระบบโดยศูนย์ความรู้เฉพาะด้านวิศวกรรมความรู้และวิศวกรรมภาษาDeveloped by Center of Excellence for Unified Knowledge and Language Engineering
สนับสนุนโดยสำนักงานพัฒนาการวิจัยการเกษตร (องค์การมหาชน)Supported by the Agricultural Research Development Agency (Public Organization)
แบบสำรวจความพึงพอใจQuestionair